在日前的 Intel 投资者大会，Intel 公布了他们 SSD 产品的最新消息，将在 2015 下半年提供 3D NAND 的 SSD 固态硬盘产品。与 Micron 合作成立的 IMFT 所生产的 3D NAND 将具有 32 层堆叠，每颗 MLC 颗粒可提供 256Gb（32GB）、TLC 则是 384Gb（48GB）的容量。
不过，Intel 并未透漏目前的 3D NAND FLASH 会采用何种制程来打造。
目前最早将 3D NAND FLASH 技术实用化的的公司还是三星的 32 层的堆叠 V-NAND，MLC 提供了 86Gb、TLC 128Gb，在容量密度部分还是 Intel、Micron 阵营比较有优势，但是 Samsung 也同样会在 2015 年将 V-NAND 提升，到时候两边在 2015 年或许会有场精彩的争斗。
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